陳陽闓

學歷

1972-1976 國立交通大學電子工程學士

1978-1980 美國紐約敘拉古斯大學電機及計算機工程碩士

1985-1988 美國康乃爾大學電機工程博士 

經歷

1976-1978 高雄岡山空軍通訊學校電子預官

1980-1988 美國GE電子實驗室研究員

1988-1994 美國AT&T Bell電子實驗室研究員

1994-1997 美國AT&T Bell電子實驗室量子光電元件研究處長

1994- 美國哥倫比亞大學電機系兼任教授

1997- 美國LUCENT BELL實驗室高速光電及無線通訊研究處處長

榮譽事蹟

陳陽闓博士於民國65年自交通大學電子工程系畢業後,隨即赴美於民國69年獲得美國紐約敘拉古斯大學電機及計算機工程碩士,並進入美國GE電子實驗室研究員,於民國77年獲得美國康乃爾大學電機工程博士學位後進入美國AT&T Bell電子實驗室擔任研究員及量子光電元件研究處長.高速光電及無線通訊研究處處長等職務,在過去20年間對付合半導體光電傳輸物理特性的認知及高速元件的開發有很重要的貢獻.許多陳伯市所開發的高速半導體雷射及集成電路元件已經被廣泛地使用在當今通信與數據網路系統及無線手機之中,尤其在2004年以發展高速合成半導體光纖通訊的傑出成就,獲選為美國國家工程院士的榮銜,茲列舉其過去20年在技術面的成就如下: *超高速半導體光源及調變器 1.在1990年首先應用複合半導體量子警的物理特性,發明半導體互沖性鎖相雷射 (colising pulsemode-locked laster)集成電路,來產生35GHz超高速次微微秒 (femtosecond)脈沖光線,這集成光源已被用在一些高速數據光纖傳輸系統以及光電微波 相位天線之中 2.在1994年應用區域量子井磊晶方法,研發出第一個商用半導體高速集成光源調變器(DFB- EAM)將不同特性的量子井雷射與高速調變器元件合成再同一塊半導體晶片上.由於這集 成光源調變器的特有高速的特性及小型省電,它成為今日光纖通信工業的主幹標準傳輸 設備,且已在美.日以及歐亞各地量產 3.在2004年領導開發第一個超高速光電數位類比轉換器(DIDITAL-TO-ANALOG-CONVERTER). 這轉換器使用光波干繞儀(INTERFEROMETER)以及鎖相雷射來產生數位控制的標準類比信 號 *高速複合半導體電晶體及集成電路

1.在1988年首先應用複合半導體磷化銦(InP)的物理特性,發明超高速160GHz的Inp HBT電 晶體,這電晶體及集成電路已經被使用在高速數位光纖傳輸系統以及微波通訊和雷達之 中,陳博士也在研究磷化銦電晶體的電子物理傳輸及雜音特性的理論和實驗上有重要發現。 

2.在1992年首先發明carbon-doped InGaP/GaAs HBT 的電晶體.這種電晶體元件的製成以 成為今日數億美元GaAs微波半導體工業的主流.因為InGaP/GaAs HBT 傳真省電的特性, 應用這個製成大量製造的微波高功率放大器,已被廣泛用在數以千萬的無線手機之中。 

3.在2002年領導開發第一個40Gbps光電收發終端器,且以被使用在商用高容量DWDM光纖網路之中,陳陽闓博士所獲得知重要學術榮譽及獎項如下:

1.當選美國國家工程院士(2004)

2.當選美國Bell電子實驗室Fellow(2003)

3.當選美國電機及電子工程學會院士(1998)

4.獲美國電機及電子工程學會David Sarn off獎(2002)

5.獲國際複合半導體學會青年研究Young Scientist獎(1993)

6.當選中央研究院院士(2016)