2015-08-03 台跨國團隊創新半導體 躍國際頂尖期刊

許瀚分

 

由台灣學者為主的跨國研究團隊領先全球,突破原有技術,發展出單層二硫化鉬及單層二硒化鎢的完美P-N接面,此種新半導體材料體積及厚度都較傳統材料小,且具有低耗能的特性,可望成為新一代的主要核心元件,此研究成果也發表於最新一期的國際頂尖期刊《SCIENCE》。

 

P-N接面是半導體電子元件中的基本單元。一般的電子與光電元件如電晶體、二極體、半導體雷射、光偵測器等都含有三維的P-N接面,經過數10年研究,目前已廣泛應用於LED照明、3C產品中,但二維單原子層的完美P-N接面則遲未有進展。

 

團隊成員、交通大學電子物理學系教授張文豪表示,3年前台籍科學家李連忠博士領先全球,率先利用化學氣相沉積法,製備出高品質二硫化鉬單層單晶,是二維材料領域的重大突破,國際科學家都認為可用於半導體製程技術中,取代目前使用的矽晶片,作為下一世代的主要核心元件。

 

張文豪指出,研究團隊耗費半年的時間,成功將單層二硫化鉬及單層二硒化鎢兩種材料接起來,且兩種材料不會互相干擾,形成完美P-N接面,在體積及厚度上都較現行的P-N接面小和薄,克服半導體製程的技術,極有潛力應用於未來低耗能的軟性電子與穿戴式電子元件中。

 

張文豪指出,此跨國研究團隊包含台灣、沙烏地阿拉伯及日本學者,參與的台灣學者有中研院前研究員李連忠、交大材料系教授韋光華、中研院應科中心研究員朱治偉、博士後研究員李明洋。此研究成果於7月31日刊登於《SCIENCE》國際期刊。