2015-12-16 半導體貢獻卓著 張懋中膺美發明家院士

半導體貢獻卓著 張懋中膺美發明家院士
交大校長張懋中榮膺美國發明家院士。(大紀元資料室供)

(大紀元記者賴月貴台灣新竹報導)「美國發明家學會」於美國時間15日上午公布2015年獲選發明家院士168人,交通大學校長張懋中因為研究推動半導體通信元件,對社會與經濟發展貢獻卓著,獲遴選委員肯定並頒授榮銜,交大師生都深感榮耀。

 

美國發明家學會會長保羅.參柏格(Paul R. Sanberg)表示,2015年當選的院士皆備受尊崇,各項創新發明對社會與經濟帶來卓越貢獻。第五屆年度會議將於2016年4月15日在美國專利商標局總部舉辦,同時舉行2015發明家院士就任儀式。

 

張懋中1990年於美國洛克威爾科學中心(Rockwell Science Center)高速電子實驗室與研究團隊完成異質結雙極性高速電晶體 (HBT)與其積成電路的研究與開發,成功量產後,成為手機必備的發射器元件,他研發砷化鎵功率放大器製成的手機信號發射器已超過100億台。

 

張懋中是基礎研究和實際應用領域首屈一指的權威代表,曾榮膺國際電機電子工程學會(IEEE)會士、美國國家工程學院(National Academy of Engineering)院士、中央研究院院士殊榮。